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基本參數

1、刻蝕尺寸：6吋及以下；

2、刻蝕材料：單晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、GaN、GaAs等；

3、刻蝕速率：0.01~1μm/min；

4、刻蝕距離調節：10mm~ 60mm；

5、操作方式：全自動控制方式；

6、系統總控：人機界面及控制程序；

7、電源：220VAC/50Hz，10KW；

8、機器重量：1000kg；

9、機器尺寸:  D810mm× W2020mm×H1550mm。

電源及刻蝕反應室

1、調頻電源：13.56MHz，1.0KW；

2、反應室：雙室，上蓋自動啟閉，操作方便；

3、反應室規格：Φ300′110mm；

4、真空度：≤2×10-4 Pa(腔體充分烘烤除氣，去濕后)；

5、抽氣時間：系統充干燥 N2解除真空后短時暴露，大氣壓~ 5×10-3 Pa 時間≤ 20min。

真空測量系統及氣體配置

1、真空計：數顯復合真空計 21套，測量低真空和高真空；

2、供氣：N2、O2 、CF4、CHF3、SF6以及壓縮空氣，進氣壓力 0.4～0.6Mpa，工藝氣體純度為：99.999﹪

冷卻系統

1、配備冷卻水循環系統；

2、保護系統：對泵、電極等缺水等異常情況進行報警并執行相應保護。