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基本參數

1、淀積尺寸：8吋及以下；

2、淀積材料：SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅等；

3、加熱溫度：≤300℃；

4、淀積速率：200～300 A°/min；

5、淀積不均勻度：≤±2%；

6、操作方式：自動控制方式；

7、系統總控：人機界面及控制程序；

8、電源：220VAC/50Hz，10KW；

9、機器重量：800kg；

10、機器尺寸: D810mm× W1820mm×H1850mm。

電源及沉積室

1、射頻電源：13.56MHz，功率1.0KW；

2、沉積室規格：雙室，Φ400x150mm，不銹鋼材質，開門結構；

3、真空度：經烘烤除氣后≥3.0×10-5 Pa；

4、抽氣時間：大氣壓 ~ 5*10-4 Pa≤35min。

測量系統

1、真空計：數顯復合真空計1套，測量低真空和高真空；

2、帶四路質量/流量控制器。

冷卻系統

1、配備冷卻水循環系統：水冷機設有水流報警系統；

2、保護系統：對水壓低等情況進行報警并執行相應保護。