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1、基片尺寸：6吋及以下；

2、樣品高度：≤6mm；

3、反應腔：氮氣保護的高溫密封系統;

4、腔體烘烤溫度：RT～200℃可控，控制精度±1℃;

5、沉積模式：連續模式、停流模式;

6、前驅體輸運系統：標準 2 路前驅體管路，1 路為常溫源，1 路為加熱源；

7、前驅體源瓶：50cc 不銹鋼標準源瓶；

8、沉積均勻性：Al2O3 均勻性≤±1%；

9、系統總控：人機界面及全自動控制程序；

10、電源 ：220VAC/50Hz，3.3KW；

11、機器重量：400kg；

12、機器尺寸：W1110 mm ×D610 mm ×H1210 mm。