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基本參數

1、基片尺寸：4吋及以下；

2、樣品臺旋轉：自轉速度0～10轉/分；

3、基片升降:蒸鍍距離200mm～300mm可調；

4、操作方式：半自動操作；

5、系統總控：人機界面及程序；

6、電 源：220VAC/50Hz，9KW；

7、機器重量：500kg；

8、機器尺寸: D810mm× W1220mm×H1830mm。

蒸發源、電源及鍍膜室

1、蒸發源（金屬舟狀）1套；

2、金屬蒸發源電源1套；

3、有機蒸發源3套，加熱溫度：室溫～500℃可調可控；

4、有機蒸發電源1套；

5、蒸發源均配置擋板，防止互相污染；

6、真空腔體用優質304不銹鋼（前開門），表面電解處理；

7、極限真空：5×10-5Pa；工作真空：7×10-4Pa；

8、恢復工作真空時間：≤35分鐘左右（新設備充干氮氣）；

9、漏率：關機12小時真空度≤10Pa。

膜厚監測及保護系統

1、配備膜厚監測儀；

2、配備1支水冷膜厚探頭；

3、設備保護系統：系統有自動監控和保護功能強，包括真空檢測、缺水欠壓檢測與保護、相序檢測與保護。